Y1HGold感受態細胞

產品規格CAT#: BFNC86055-01(10×100ul)/BFNC86055-02(50×100ul)

Y1HGold Competent Cell:                                  100μl/支              保存： -80℃（3個月）

pGADT7 (control vector, 10 ng/μl)                           10μl              保存：-80℃（12個月）

Carrier DNA (10 μg/μl)                                            100μl              保存：-20℃（12個月）

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存：    4℃（12個月）

基因型

MATα, ura3-52, his3-200, ade2-101, trp1-901, leu2-3, 112, gal4Δ, gal80Δ, met-, MEL1

產品說明

Y1HGold菌株是Clontech公司開發的GAL4-AbA酵母單雜系統用菌株，MATα型，可直接轉化質粒進行篩庫試驗。Transformation marker為：ura3，leu2；報告基因為：AbAr。Y1HGold-GAL4-AbA 酵母單雜系統需要兩種質粒配套使用：pAbAi 和PGADT7。質粒pAbAi的篩選標志為URA，用于表達 pBait-AbAi construct (1~3個bait DNA序列重復串聯后克隆到pAbAi中)；質粒pGADT7的篩選標志為LEU，用于表達AD(GAL4 C端768~881位氨基酸)與目標蛋白 (Prey)的融合蛋白。GAL4-AbA酵母單雜系統原理：Aureobasidin A (AbA)是一種環酯肽抗生素，在低濃度 (0.1-0.2 µg/ml)下即可對酵母產生毒性?；蚪M中整合了pBait-AbAi 的酵母菌株 (Bait-Reporter Yeast Strains)，當獵物蛋白 (Prey)結合到誘餌序列 (Bait DNA)上，GAL4 AD就會激活AbAr的表達，從而能夠在含有抗生素AbA 的培養基上生長。AbAr與營養缺陷報告基因相比具有更低背景的優點，可以降低酵母單雜假陽性發生的概率。

青旗生物生產的Y1HGold感受態細胞經特殊工藝制作，-80℃可保存三個月，pGADT7質粒檢測轉化效率>10⁴ cfu/μg DNA。

操作方法

1. 取pBait-AbAi質粒5µg，BstBI或 BbsI酶切1小時，回收。

2. 取100 μl冰上融化的Y1HGold感受態細胞，依次加入預冷的線性pBait-AbAi質粒1-5 µg（體積不高于15 µl），Carrier DNA (95-100度5 min,快速冰浴，重復一次) 10 µl，PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻，30度水浴30 min (15 min時翻轉6-8次混勻)。

3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉6-8次混勻)。

4. 5000 rpm離心 40 s棄上清，ddH₂O 400 µl 重懸，離心 30s棄上清。

4. ddH₂O 50 µl重懸，涂SD/-Ura平板，29℃培養72 h。

5. 挑取5-10個克隆，用PCR方法確定pBait-AbAi 整合到Y1HGold 基因組中，PCR 陽性菌株在SD/-Ura平板劃線，29℃培養72 h，4℃保存，此菌株即是Y1HGold[Bait/AbAi] 菌株。

Y1HGold感受態細胞

注意事項

1. 感受態細胞盡量在冰上融化。

2. 轉化高濃度的質?？上鄳獪p少終用于涂板的菌量。

3. 同時轉化2-3種質粒時可增加質粒的用量。

4. Y1HGold酵母菌株對高溫敏感，適生長溫度為27-30℃；高于31℃，生長速度和轉化效率呈指數下降。

5. 菌落變粉不是污染，是酵母細胞生長中一個常見現象。當細胞在平板培養幾天后，平板上的Adenine被酵母消耗完畢，酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用，然而，有些菌株的ADE2基因被破壞，Adenine合成途徑受阻；又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常，所以造成中間產物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變為粉紅色。

6. 酵母在缺陷培養基中生長速度比YPDA培養基慢，培養基中缺陷成分越多，生長越慢，以轉化涂板為例：涂YPDA平板29℃，48 h培養可見直徑1 mm克隆；涂SD單缺平板29℃，48-60 h培養可見直徑1 mm克隆，涂SD雙缺平板29℃，60-80 h培養可見直徑1 mm克隆，涂SD三缺或四缺平板平板29℃，80-90 h培養可見直徑1 mm克隆。